MeVイオンマイクロビーム技術の開発; 原研・早稲田大学共同研究成果報告

神谷 富裕; 水橋 清; 峰原 英介; 宇都宮 伸宏*; 田中 隆一; 丸山 倫夫*; M.Koh*; 則武 克誌*; 松川 貴*; 杉森 正章*; et al.

JAERI-M 94-033, 108 Pages, 1994/03

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早稲田大学と原研は、MeV領域のマイクロビーム技術の開発を目的として、マイクロビーム形成装置を共同で設計・製作し、同大学理工学研究所の1.7MVタンデム加速器のビームラインに設置した。同加速器から引出された3MeV、Heのビームを用いてビーム集束化の実験を行い、ターゲットにおいて1.71.9mのサイズのビームスポットを得た。また、ビーム集束研究の基盤技術として、加速器、特にイオン源の電流安定化の検討・精密二連四重極電磁石レンズ(Qレンズ)の磁場解析、振動測定等を行うとともに、マイクロビーム技術開発研究に必要な実験の基礎となるデータを得た。本報告は本装置の概要及び共同研究の成果について述べる。

Field analysis of quadrupole magnet for MeV ion microbeam

神谷 富裕; 峰原 英介

Proc. of the 8th Symp. on Ion Beam Technology Hosei University, p.45 - 50, 1989/00

MeVイオンマイクロビーム用四重極電磁石の測定と計算による磁場解析を行った。この目的は製作された電磁石の磁場特性を引き出し、今後製作する電磁石によって1m以下のビームスポットサイズを得るためである。最初に早稲田大学との共同研究において製作された二連四重極電磁石の水平中心平面内の垂直磁場分布をホールプローグを用いて測定した。次に3次元磁場計算プログラムELF/MAGICを用いて四重極電磁石のやはり水平中心平面内の垂直磁場分布を計算した。測定と計算の双方によって得られたデータから中心軸方向の多重極磁場成分の分布を同様の方法で求めた。今回は磁場の測定及び計算の方法を示し、得られた多重極磁場成分の分布について2つの結果の比較をし、議論する。